全球半導體材料出現了三次突破性的發展進程

經過60多年的發展，全球半導體材料出現了三次突破性的發展進程。第一代半導體材料Si和Ge奠定了計算機、網絡和自動化技術發展的基礎，第二代半導體材料砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)奠定了信息技術的發展基礎。

目前正在快速發展的第三代半導體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)等，主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應用，在新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子、新一代顯示等領域有廣闊的應用前景，成為全球半導體產業發展新的戰略高地。

我國的半導體材料和器件，長期依賴進口，其中高性能芯片完全依賴進口，受制于人的問題突出。除芯片設計與制造能力薄弱外，半導體單晶硅和大量輔助材料的國產化水平不足，進口依賴程度較高，如在電子氣體、光刻膠和拋光材料等3種典型輔助材料領域，國內企業生產的產品市場占有率分別僅占30%、10%、10%，亟需提升我國半導體關鍵原輔材料的自主保障能力。

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